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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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Infineon Technologies FF200R12KE3HOSA1
| Artikelnummer: | FF200R12KE3HOSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT MODULE 1200V 1050W |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $168.12 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies FF200R12KE3HOSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FF200R12KE3HOSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A Supplier Device-Gehäuse Module Serie - Leistung - max 1050 W Verpackung / Gehäuse Module Paket Tray Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C NTC-Thermistor Yes Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Chassis Mount Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 14 nF @ 25 V Eingang Standard IGBT-Typ - Strom - Collector Cutoff (Max) 5 mA Konfiguration 2 Independent Grundproduktnummer FF200R12 FF200R12KE3HOSA1 Einzelheiten PDF [English] FF200R12KE3HOSA1 PDF - EN.pdf -
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